SD NAND 的 CLK 信号上拉主要出于以下几个原因:
SPI 模式下的默认状态:
SPI 总线在空闲状态下,CLK 通常保持高电平(取决于 CPOL/CPHA 配置)。
上拉电阻确保在主设备(MCU/DSP)未驱动 CLK 时,总线处于明确的高电平状态,避免浮动导致的误触发。
SDIO 模式下的时钟同步:
SDIO 协议要求 CLK 在空闲时为低电平,但在初始化阶段(如发送 CMD0 前),需通过上拉电阻确保 CLK 初始状态稳定。
高速通信时,上拉电阻有助于减少信号边沿的振铃和反射,提高时钟质量。
弱驱动设备需求:
某些 MCU/DSP 的 GPIO 输出驱动能力有限(如开漏输出),需外部上拉提供足够的高电平驱动能力。
电平匹配:
当主设备与 SD NAND 的电源电压存在差异时(如 1.8V 与 3.3V),上拉电阻可用于电平转换,确保信号幅值符合 SD NAND 的输入要求。
减少噪声影响:
在 PCB 走线较长或环境干扰较大的场景中,上拉电阻可抑制 CLK 线上的噪声,降低误码率。
防止静电积累:
上拉电阻可提供静电放电(ESD)的泄放路径,保护敏感的 SD NAND 接口电路。
SD 卡电气特性要求:
SD 协议规定 CLK 信号需满足特定的上升 / 下降时间和噪声容限,上拉电阻配合适当的负载电容可优化信号波形。
初始化时序要求:
在 SD NAND 初始化阶段,CLK 需先保持稳定状态(通常通过上拉),再开始时钟传输。
阻值范围:典型值为 4.7kΩ~10kΩ,需根据具体 SD NAND 型号和 PCB 特性调整。
电源旁路:上拉电阻应连接到稳定的电源(如 3.3V),并在电源端添加 0.1μF 去耦电容。
高速应用:在高频(如 50MHz 以上)通信时,需考虑上拉电阻与走线阻抗的匹配,避免信号反射。
若 SD NAND 的 CLK 无上拉,可能导致时钟信号不稳定、初始化失败或数据传输错误,尤其在长距离通信或高噪声环境中更为明显。
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