芯存者专业为客户提供SD NAND FLASH,容量规格有128MB,256MB,512MB,1GB,2GB,4GB,8GB读写速度更快,稳定性更高,功耗更低,寿命更长,数据保持力更久,服务电话:176-6539-0767。
联系我们SD NAND五大优点
•尺寸小巧
•简单易用
•兼容性强
•稳定可靠
•固件可定制
SD NAND六大核心优势
•LGA-8封装,机贴手贴都方便。
•尺寸小巧5(6*8mm),助力产品颜值提升。
•容量适宜(1Gb/2Gb/4Gb/8Gb/16Gb/32Gb/64Gb)帮助客户降低成本。
•擦写寿命长(内置SLC晶圆,擦写寿命可达5-10万次,专为嵌式而生)。
•免驱动(即贴即用)直连SD/SPI接口即可使用,已内置Flash管理程序。
•稳定可靠:已通过1万次随机掉电高低温冲击测试。内置固件包含平均读写,坏块管理,垃圾回收等处理机制。
SD NAND所有芯片采用最稳定可靠的SLC晶圆
•耐高温能力强。
•抗电流冲击强。
•SD NAND擦写寿命10万次。
SD NAND控制器四大优势
•性能更稳定,通过1万次 随机掉电测试。
•兼容SPI/SD接口。
•内置固件可定制。
•强大的纠错和管理Flash能力,最高可支持3D TLC NAND。
•读写速度更快( 兼容SD2.0协议,最高支持SD 3.0协议) 尤其是小文件读写速度。
SD NAND内置四大Flash管理算法
•NAND Flash的块存在擦写寿命的限制。在有擦写动作时,SD NAND会调用平均读写算法,避免只擦写某一部分物理块。从而达到整体物理块的可用寿命一致。 提高SD NAND整体使用寿命和稳定性。
•NAND Flash在存储数据时存在位反转和位偏移现象。因此数据在写入NAND Flash后需加上校验位。当数据出现错误时,SD NAND先会调用错误探测算法(EDC)发出提示,然后调用错误纠正算法(ECC )对错误数据进行修复。
•NAND Flash如果对集中的物理块进行擦写动作,产生的强电场会影响到周边的块。SD NAND采用均衡电荷散射算法,可以把擦写的块在物理上均匀分布,电场相互抵消,降低擦写操作对周边块的影响。
•NAND Flash在更新数据时,新数据会写入到空白块中,存储旧数据的块会被标识为垃圾。随着”垃圾数据"的日积月累,SD NAND会主动将有效数据块搬移,然后执行整个垃圾块擦除以回收空间。
SD NAND物理连接示意图
SPI模式与SDIO模式引脚示意图
SD卡SPI模式初始化流程
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